《電鰻快報》 文/李萬鈞

        截至11月24日9:55，露笑科技(002617)已經封在漲停板。該公司兩大利好來襲，披露2021年非公開發行預案，擬募資29.4億元，主要用于投資第三代功率半導體(碳化硅)產業園。同時，該公司還披露了一份重大戰略合作協議，合作方東莞天域將優先選用該公司生產的6英寸碳化硅導電襯底，未來3年需求不少于15萬片。

        不過，《電鰻快報》關注到，本次增發完成后，露笑集團及一致行動人的持股比例預計最低降至13.48%，控股地位不變，但控制權削弱。

        擬增發募資29.4億元擴大6英寸產能并研發8英寸產品

        根據預案，露笑科技擬非公開發行股份總數不超過4.81億股，募集資金總額不超過29.4億元，扣除發行費用后將用于“第三代功率半導體(碳化硅)產業園項目”、“大尺寸碳化硅襯底片研發中心項目”和“補充流動資金”項目。

        值得關注的是，露笑科技控股方的持股比例預計降低至13.48%。

        該公司的控股股東露笑集團及魯小均、李伯英、魯永為公司實際控制人。目前，露笑集團直接持有露笑科技11.40%股份，其一致行動人魯小均、李伯英、魯永三人合計直接持有發行人6.12%股份，合計控制該公司17.52%的股份。假設本次非公開發行股票的實際發行數量為本次發行的上限4.81億股，則發行完成之后露笑集團的持股比例將稀釋為8.77%，魯小均、李伯英、魯永合計控制露笑科技股份的比例將稀釋為13.48%。露笑集團仍為控股股東，魯小均、李伯英、魯永仍為公司實際控制人。

        行業發展前景良好，此時增發擴產恰逢其時。

        目前碳化硅在600伏以上的電力電子領域，如FPC電源、光伏逆變器、新能源汽車的電機控制器、車載充電機、DC-DC及充電樁有很多的應用，且該材料在白色家電、軌道交通、醫療設備、國防軍工等領域也會得到越來越多的應用。

        作為寬禁帶半導體器件制造的關鍵原材料，碳化硅襯底材料制造的技術門檻較高，國內能夠向企業用戶穩定供應6英寸碳化硅襯底的生產廠商相對有限。

        根據產業研究機構YoleDéveloppement(Yole)的相關預測，碳化硅(SiC)功率半導體市場產值到2025年將達到25.62億美元，該市場在2019年到2025年之間的年復合成長率達到29.59%。因此，廣闊的市場前景為本項目實施提供了良好的市場基礎。

        據IHS數據，2023年全球碳化硅器件需求有望達16.44億美元，2017年-2023年復合增速約為26.6%;下游主要應用場景包含EV、快充樁、UPS電源(通信)、光伏、軌道交通以及航天軍工等領域，其中電動車行業有望迎來快速爆發，通信、光伏等市場空間較大。伴隨碳化硅器件成本下降，全生命周期成本性能優勢有望不斷放大，潛在替代空間巨大

        擴產24萬片產能 東莞天域未來3年鎖定15萬片

        露笑科技同時披露了控股子公司簽訂戰略合作框架協議的公告，其控股子公司合肥露笑半導體材 料有限公司(以下簡稱“合肥露笑半導體”)于近日與東莞市天域半導體科技有 限公司(以下簡稱“東莞天域”)簽訂了《戰略合作協議》，雙方將在碳化硅襯底研產合作。

        據協議約定，在滿足產業化生產技術要求的同等條件下，東莞天域將優先選用合肥露笑半導體生產的6英寸碳化硅導電襯底，2022年、2023年、2024年需要預留產能不少于15萬片，具體數量視實際情況以年度購銷合同形式另行約定。

        除產品合作外，雙方還將共同協作，在6英寸及以上規格碳化硅導電襯底方面進行產業化應用技術研發合作。

        《電鰻快報》發現，這項戰略合作與露笑科技本次29.4億元增發募投項目緊密相關。其中，最大募投項目“第三代功率半導體(碳化硅)產業園項目”擬生產的6英寸碳化硅襯底材料，該項目由露笑科技股份有限公司的控股子公司合肥露笑半導體材料有限公司組織實施，建設期24個月，建設地點為安徽省合肥市長豐縣雙墩鎮雙鳳路與潁州路交口東南角。

        據稱，該項目通過進一步優化工藝技術，項目完成后將形成年產24萬片6英寸導電型碳化硅襯底片的生產能力，能夠實現對下游客戶的穩定批量供應。

        該項目總投資金額為21億元，本次擬使用募集資金投入19.4億元，投資主要包括建筑工程、設備購置及安裝等。

        在經濟效益方面，該項目的財務內部收益率(稅后)為11.33%，靜態投資回收期(稅后，含建設期)為7.64年、。

        目前，該項目的備案、環評及用地等已經落實，已取得相應的土地使用權，取得了長豐縣發展改革委的項目備案(項目代碼：2011-340121-04-01-159102)與合肥市生態環境局的環評批復(環建審〔2021〕18號)。

        此外，“大尺寸碳化硅襯底片研發中心項目”總投資金額為5億元，投資主要涉及研發廠房建設、研發設備購置及安裝、研發人才引進等研發投入，項目建設期為24個月。該項目將結合半導體產業下游產品需求以及碳化硅材料行業的技術難點和技術路線，重點推進8英寸碳化硅襯底片的技術研發工作。

《電鰻快報》